%0 Journal Article
%T INFLUENCE ON GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR OF PROTON IMPLAN TATION AND RAPID THERMAL ANNEALING<br>质子注入和快速退火对GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的影响
%A LI Na
%A <br>红外与毫米波学报
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs 量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×10
%K proton implantation
%K rapid thermal annealing
%K QWIP<br>质子注入
%K 快速退火
%K 量子阱红外探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=F8E37007D90A31F1&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C5154311167311FE&eid=D3E34374A0D77D7F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=7