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红外与毫米波学报 2004
INFLUENCE OF 1MEV ELECTRON IRRADIATION ON HgCdTe PHOTOCONDUCTVIE DETECTORS
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Abstract:
研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响．通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数，结果发现经过电子辐照，器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动．在辐照剂量大于10^15／cm^2时，器件的室温电阻和响应率明显下降．探测率由于噪声的影响无明显变化趋势．
