%0 Journal Article
%T INFLUENCE OF 1MEV ELECTRON IRRADIATION ON HgCdTe PHOTOCONDUCTVIE DETECTORS<br>1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响
%A QIAO Hui
%A JIA Ji
%A CHEN Xin-Yu
%A LI Xiang-Yang
%A GONG Hai-Mei
%A <br>乔辉
%A 贾嘉
%A 陈新禹
%A 李向阳
%A 龚海梅
%J 红外与毫米波学报
%D 2004
%I Science Press
%X 研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响．通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数，结果发现经过电子辐照，器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动．在辐照剂量大于10^15／cm^2时，器件的室温电阻和响应率明显下降．探测率由于噪声的影响无明显变化趋势．
%K HgCdTe
%K photoconductive detectors
%K electron irradiation
%K radiation effects<br>碲镉汞
%K 光导型探测器
%K 电子辐照
%K 辐照效应
%K 电流响应率
%K 响应光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=E4D580FC3998288C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=EA389574707BDED3&iid=38B194292C032A66&sid=9D453329DCCABB94&eid=A58CF3BAE79427D0&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=4&reference_num=10