THE STUDY OF TWO KINDS OF SURFACE PASSIVATION WAYS FOR n-HgCdTe PHOTOCONDUCTOR DEVICE
n—HgCdTe光导器件两种表面钝化研究

利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长，利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长，利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析，实验表明得到的ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ同质量已达到器件实用化水平。