%0 Journal Article %T THE STUDY OF TWO KINDS OF SURFACE PASSIVATION WAYS FOR n-HgCdTe PHOTOCONDUCTOR DEVICE
n—HgCdTe光导器件两种表面钝化研究 %A 周咏东 %A 方家熊 %J 红外与毫米波学报 %D 2000 %I Science Press %X 利用Ar^+束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温生长,利用电化学方法进行了HgCdTe表面自身阳极氧化膜的生长,利用生工的CdTe介质膜和HgCdTe表在身阳极氧化膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析,实验表明得到的CdTe/HgCdTe同质量已达到器件实用化水平。 %K 红外探测器 %K 碲化镉 %K 光导器件 %K 表面钝化 %K HgCdTe %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=FA53B4A7C2C2409C&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=FD7C952458BFB5D8&eid=FBCA02DBD05BD4EA&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=4