碲镉汞阳极氧化膜界面的研究

用X射线光电子能谱方法研究了Hg_0.8CD_0.2Te样品的厚度为35、50、55、和65nm的阳极氧化膜。结果表明阳极氧化膜的成分中:0为58～60%,Te为22～26%,Cd为10～13%,Hg为3～4%。在氧化膜与基体界面半导体一侧存在缺汞区,比正常值少14～34%。