%0 Journal Article
%T 碲镉汞阳极氧化膜界面的研究
%A 许振嘉
%A 王佑祥
%A 陈维德
%A 方家熊
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 用X射线光电子能谱方法研究了Hg_0.8CD_0.2Te样品的厚度为35、50、55、和65nm的阳极氧化膜。结果表明阳极氧化膜的成分中:0为58～60%,Te为22～26%,Cd为10～13%,Hg为3～4%。在氧化膜与基体界面半导体一侧存在缺汞区,比正常值少14～34%。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=EFCAC55488D0A2DA8E6ACD69E03D4CB7&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=0