PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

Keywords: multiquantum welll,photocurrent,electron interference
多量子阱结构,光电流,电子干涉

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Abstract:

在77K温度，测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流，观测到在v=1589cm^-1，即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰，分析认为，该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关。根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致。

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