%0 Journal Article
%T PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE<br>GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
%A CHENG Xing
%A Kui
%A MA Hong
%A Lei
%A <br>程兴奎
%A 周均铭
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 在77K温度，测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流，观测到在v=1589cm^-1，即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰，分析认为，该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关。根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致。
%K multiquantum welll
%K photocurrent
%K electron interference<br>多量子阱结构
%K 光电流
%K 电子干涉
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=E16A2D20104290F6&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=E158A972A605785F&sid=3C6F5C97A07587AE&eid=CA9ED1AB4D9E3E04&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=2