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红外与毫米波学报 1998
THE ACCEPTOR PROPERTIES OF UN-INTENTIONALLY DOPED p-TYPE MBE-GROWN Hg1-xCdxTe
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Abstract:
对经２５０℃Ｐ型热处理获得的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅＭＢＥ材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算，由此得到ＨｇＣｄＴｅ－ＭＢＥ材料的受主浓度为２－３×１０＾１６ｃｍ＾－３，残余施主浓度为５×１０＾１５ｃｍ＾－３左右，两才相比显示材料的补偿度较低，拟合得到的汞空位受主能级为１５－１８ｍｅＶdisplay structure
