SURFACE DEFECTS ON MBE GROWN HgCdTe
分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，借助SEM分析了不同缺陷的成核机制，确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关，获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2，筛选合格率为65％。