%0 Journal Article
%T SURFACE DEFECTS ON MBE GROWN HgCdTe<br>分子束外延HgCdTe表面缺陷研究
%A CHEN Lu
%A WU Yan
%A YU Mei
%A Fang
%A WANG Shan
%A Li
%A QIAO Yi
%A Min
%A HE Li
%A <br>陈路
%A 巫艳
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，借助SEM分析了不同缺陷的成核机制，确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关，获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2，筛选合格率为65％。
%K MBE
%K HgCdTe
%K surface defects<br>分子束外延
%K HgCdTe
%K 表面缺陷
%K 薄膜
%K 汞
%K 镉
%K 碲
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=1A2B240EB62EB977&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DA74B62FE4348759&eid=FED44C0135DC1D9C&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=3&reference_num=10