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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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NOVEL COMPOSITE-CHANNEL Al0.3 Ga0.7 N/ Al0.05 Ga0.95 N/GaN HEMT MMIC VCO WITH LOW PHASE NOISE
新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器
CHENG Zhi-Qun, CAI Yong, LIU Jie, ZHOU Yu-Gang, LIU Zhi-Mei, CHEN Jing,
程知群, 蔡勇, 刘杰, 周玉刚, 刘稚美, 陈敬
Keywords: Al0,3Ga0,7N/Al0,05Ga0,95N/GaN HEMT,microwave monolithic integrated circuit(MMIC),voltage-controlled oscillator(VCO),phase noise
Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,压控振荡器,相位噪声,Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN,HEMT,microwave,monolithic,integrated,circuit,(MMIC),voltage-controlled,oscillator(VCO),phase,noise,复合沟道,HEMT,低相位噪声,微波单片集成,压控振荡器,NOVEL,LOW,PHASE,NOISE,best,knowledge,tuning,offset,phase,noise,bias,drain,output,power,average,efficiency,voltage,range,polyimide
Abstract:
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果. Full-Text
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