%0 Journal Article
%T NOVEL COMPOSITE-CHANNEL Al0.3 Ga0.7 N/ Al0.05 Ga0.95 N/GaN HEMT MMIC VCO WITH LOW PHASE NOISE<br>新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器
%A CHENG Zhi-Qun
%A CAI Yong
%A LIU Jie
%A ZHOU Yu-Gang
%A LIU Zhi-Mei
%A CHEN Jing
%A <br>程知群
%A 蔡勇
%A 刘杰
%A 周玉刚
%A 刘稚美
%A 陈敬
%J 红外与毫米波学报
%D 2007
%I Science Press
%X 设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能.CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm.叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率.为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间.当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%.当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值.据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果.
%K Al0
%K 3Ga0
%K 7N/Al0
%K 05Ga0
%K 95N/GaN HEMT
%K microwave monolithic integrated circuit(MMIC)
%K voltage-controlled oscillator(VCO)
%K phase noise<br>Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管
%K 微波单片集成电路
%K 压控振荡器
%K 相位噪声
%K Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN
%K HEMT
%K microwave
%K monolithic
%K integrated
%K circuit
%K (MMIC)
%K voltage-controlled
%K oscillator(VCO)
%K phase
%K noise
%K 复合沟道
%K HEMT
%K 低相位噪声
%K 微波单片集成
%K 压控振荡器
%K NOVEL
%K LOW
%K PHASE
%K NOISE
%K best
%K knowledge
%K tuning
%K offset
%K phase
%K noise
%K bias
%K drain
%K output
%K power
%K average
%K efficiency
%K voltage
%K range
%K polyimide
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=CF5881CF83D43DA9F261FCC6E737664B&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=96C778EE049EE47D&iid=E158A972A605785F&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=E2E0FBFE4D7EFB94&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=18