STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES
InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究

用简并激发－探测技术研究了７７Ｋ温度下ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中载流子快速俘获和驰豫过程，在瞬态反射谱测量中，降观察到与ＧａＡｓ有关的驰豫过程外（时间常数约为１ｐｓ），还观察到一个时间常数为几个至２０ｐｓ的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被ＩｎＡｓ层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。