%0 Journal Article
%T STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES<br>InAs／GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
%A LI Qing
%A XU Zhong-Ying
%A GE Wei-Kun
%A <br>李晴
%A 葛惟昆
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%I Science Press
%X 用简并激发－探测技术研究了７７Ｋ温度下ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点中载流子快速俘获和驰豫过程，在瞬态反射谱测量中，降观察到与ＧａＡｓ有关的驰豫过程外（时间常数约为１ｐｓ），还观察到一个时间常数为几个至２０ｐｓ的反射率上升过程。提出了一个物理模型，表明上述上升过程与光致载流子被ＩｎＡｓ层快速俘获过程有关，并由此得到载流子的俘获时间，俘获时间随载流子浓度增加而减小。
%K 低维结构
%K Ⅲ－Ⅴ簇半导体
%K 载流子
%K 快速俘获过程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=0C578C719716FBDB&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=5957D6E0A50D26B5&eid=C7DDDE86E6286CD9&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=4