STUDY OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe pn JUNCTION FORMED BY LOW ENERGY ION BEAM MILLING
低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究

Keywords: ion beam,HgCdTe,pn junction
离子束轰击,碲镉汞,pn结,电学特性,红外材料

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Abstract:

用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。

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