%0 Journal Article
%T STUDY OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe pn JUNCTION FORMED BY LOW ENERGY ION BEAM MILLING<br>低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究
%A LU Hui
%A Qing
%A ZHAO Jun
%A LI Xiang
%A Yang
%A <br>陆慧庆
%A 李向阳
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%I Science Press
%X 用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。
%K ion beam
%K HgCdTe
%K pn junction<br>离子束轰击
%K 碲镉汞
%K pn结
%K 电学特性
%K 红外材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=BC8C3AAFD2065152&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=659D3B06EBF534A7&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=3&reference_num=4