PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF TYPE-
生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs／AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

测量了生长在（311）A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱，变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰，将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁，高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动，认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁，在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰，认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。