%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF TYPE-<br>生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs／AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究
%A CHEN Ye
%A LI Guo Hua
%A ZHU Zuo Ming
%A HAN He Xiang
%A WANG Zhao Ping
%A ZHOU Wei
%A WANG Zhan Guo
%A <br>陈晔
%A 周伟
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%I Science Press
%X 测量了生长在（311）A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱，变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰，将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁，高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动，认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁，在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰，认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。
%K InAlAs/AlGaAs
%K quantum dot
%K pressure
%K photoluminescence<br>压力
%K 光致发光谱
%K InAlAs／AlGaAs自组织Ⅱ型量子点
%K Ⅱ型跃迁
%K Г能带跃迁
%K X能谷劈裂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=FDF565D3A430816D&yid=14E7EF987E4155E6&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8E6AB9C3EBAAE921&eid=014B591DF029732F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=9