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ISSN: 2333-9721
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InSb混成红外CCD铟柱互连

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Abstract:

本文介绍在InSb多元列阵和硅COD的电极上生长铟柱,用红外显微镜实现铟柱对准,以及正照射式互连结构。以上方法具有工艺简单、结构紧凑、易于实现之优点。1.铟柱生长在InSb多元列阵的金电极上和硅COD的铝电极上电镀铟柱,这一工艺比表面处理

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