%0 Journal Article
%T InSb混成红外CCD铟柱互连
%A 陈新强
%A 胡文军
%A 何钜华
%J 红外与毫米波学报
%D 1983
%I Science Press
%X 本文介绍在InSb多元列阵和硅COD的电极上生长铟柱,用红外显微镜实现铟柱对准,以及正照射式互连结构。以上方法具有工艺简单、结构紧凑、易于实现之优点。1.铟柱生长在InSb多元列阵的金电极上和硅COD的铝电极上电镀铟柱,这一工艺比表面处理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=6D4774213F348885135914DF3070FDBC&yid=A7F20A391020FDEE&vid=0B39A22176CE99FB&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0