辉光放电方法制备的a-SiN_x:H薄膜光致发光研究

研究了a-SiNx:H薄膜在15K左右低温下的光致发光特性,测得发光峰值位置随样品中氮含量的增加而向高能方向移动。部分晶化样品的发光峰值从1.47eV移到1.25eV。从PL强度的温度效应,可得到激活能ε和表征带尾宽度的特征温度T_(?)o T>80K和