%0 Journal Article
%T 辉光放电方法制备的a-SiN_x:H薄膜光致发光研究
%A 宋亦周
%A 杨明
%A 姜文娣
%A 方容川
%J 红外与毫米波学报
%D 1987
%I Science Press
%X 研究了a-SiNx:H薄膜在15K左右低温下的光致发光特性,测得发光峰值位置随样品中氮含量的增加而向高能方向移动。部分晶化样品的发光峰值从1.47eV移到1.25eV。从PL强度的温度效应,可得到激活能ε和表征带尾宽度的特征温度T_(?)o T>80K和
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=B4D6249AE9D09F1C600AF47F3FADC009&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0