零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的输运特性

对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时,杂质或缺陷能级将进入能带,对受主形成受主共振态。在4.2～300K温度范围内,我们测量了零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料输运参数随温度的变化关系,发现在nT~(-3/2)-1/T曲线上有一个明显的转折点,对应的温度和组份与褚君浩等