%0 Journal Article
%T 零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的输运特性
%A 梁勇
%A 郑国珍
%J 红外与毫米波学报
%D 1984
%I Science Press
%X 对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时,杂质或缺陷能级将进入能带,对受主形成受主共振态。在4.2～300K温度范围内,我们测量了零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料输运参数随温度的变化关系,发现在nT~(-3/2)-1/T曲线上有一个明显的转折点,对应的温度和组份与褚君浩等
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=A4D48C38E9C40132&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=0&reference_num=0