高纯硅中新的浅施主中心

报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱(PTIS),观察到2个新的谱线系列。结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心(NSD)有关,其浓度低达～10~9cm~(-3),电离能分别为36.61meV和36.97meV。另外,对P和NSD(1)都观察到以前未能分辨的与6p±以上杂质激发态有关的谱线,分析表明,NSD可能是晶体生长过程中产生的,氧可能在其中起重要作用。