%0 Journal Article
%T 高纯硅中新的浅施主中心
%A 俞志毅
%A 黄叶肖
%A 沈学础
%J 红外与毫米波学报
%D 1990
%I Science Press
%X 报道了N型高纯区熔硅单晶的高分辨率光热电离光谱(PTIS),观察到2个新的谱线系列。结果表明新的谱线系列可能与2个“类氢”复合型浅施主中心(NSD)有关,其浓度低达～10~9cm~(-3),电离能分别为36.61meV和36.97meV。另外,对P和NSD(1)都观察到以前未能分辨的与6p±以上杂质激发态有关的谱线,分析表明,NSD可能是晶体生长过程中产生的,氧可能在其中起重要作用。
%K 高纯硅
%K 剩余浅施主
%K 复合型杂质中心
%K 光热电离光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=D3B4F771D1A06062008B4D0A2EF05996&aid=1128533CE8C37827FF00FEA8431DAEDC&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=CA4FD0336C81A37A&journal_id=1001-9014&journal_name=红外与毫米波学报&referenced_num=1&reference_num=0