THE STRESS OF OXIDE SCALE FORMED ONTi5621S AND Nd DOPED Ti5621S ALLOYS
钛合金5621S及含钕钛合金5621S氧化膜的应力

测量了含钕及不含钕两种钛合金5621S于600-800℃在氧气中氧化条件下氧化膜的生长应力和于800℃氧化不同时间后氧化膜的残余应力。通过氧化膜的生长应力、热应力、残余应力大小的比较,表明Ti5621S合金中添加钕能降低氧化膜的生长应力。含钕及不含钕两种钛合金氧化膜的生长应力和热应力同数量级。于冷却过程中若钛合金5621S氧化膜发生显著破裂,由于应力充分释放,其残余应力反较含钕的钛合金5621S氧化膜的低。