Fabrication of 808 nm SQW Semiconductor Laser Facet AR HR Coating
808 nm大功率半导体激光器腔面膜的制备

采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2／Si02系前后腔面膜．用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值．增透膜的反射率为12．2％，高反膜的反射率为97．9％．对于100μm条宽、1000μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高79％、外微分量子效率提高80％、功率效率由没镀膜之前的22．2％提高到镀膜之后的39．8％．