%0 Journal Article
%T Fabrication of 808 nm SQW Semiconductor Laser Facet AR HR Coating<br>808 nm大功率半导体激光器腔面膜的制备
%A 套格套
%A 尧舜
%A 张云鹏
%A 路国光
%A 初国强
%A 刘云
%A 王立军
%J 光子学报
%D 2005
%I 
%X 采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2／Si02系前后腔面膜．用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值．增透膜的反射率为12．2％，高反膜的反射率为97．9％．对于100μm条宽、1000μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高79％、外微分量子效率提高80％、功率效率由没镀膜之前的22．2％提高到镀膜之后的39．8％．
%K Semiconductor laser
%K Plasma assisted electron beem deposition
%K AR coating
%K HR coating
%K Output efficiency
%K Catastrophic optical damage<br>半导体激光器
%K 等离子体辅助电子束蒸发
%K 高反膜
%K 增透膜
%K 灾变性光学损伤
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=E6F51C8DB0358CDB&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=339D79302DF62549&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C5154311167311FE&eid=D3E34374A0D77D7F&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=6&reference_num=12