941 nm 2% Duty Cycle High Output Power Semiconductor Laser Diode Array
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列

计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系，确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分．并利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AIGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料．利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为940．5nm，光谱的FWHM为2．6nm，在400μs，50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到114．7W(165A)，斜率效率高达0．81W／A，阈值电流密度为103．7A／cm^2，串联电阻5mΩ，最高转换效率可达36．9％．