%0 Journal Article
%T 941 nm 2% Duty Cycle High Output Power Semiconductor Laser Diode Array<br>941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
%A ( Research Institute of Microelectronics
%A College of Information
%A Hebei Univ of Tech
%A Tianjin ( The th Research Institute of CETC
%A Shijiazhuang
%A <br>辛国锋
%A 花吉珍
%A 陈国鹰
%A 康志龙
%A 杨鹏
%A 徐会武
%A 安振峰
%J 光子学报
%D 2004
%I 
%X 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系，确定了941nm波长的量子阱宽度和In组分．并利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AIGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料．利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为940．5nm，光谱的FWHM为2．6nm，在400μs，50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到114．7W(165A)，斜率效率高达0．81W／A，阈值电流密度为103．7A／cm^2，串联电阻5mΩ，最高转换效率可达36．9％．
%K Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
%K Semiconductor laser array
%K Separate confinement heterostructure
%K Single quantum well<br>金属有机化合物气相淀积
%K 半导体激光器阵列
%K 分别限制结构
%K 单量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=B93A72EB6CDC0354&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=94C357A881DFC066&sid=68FF5306A8F9C315&eid=500A64A3035F6B9C&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=4&reference_num=7