InGaAsP SCH MQW LASERS
InGaAsP分别限制量子阱激光器

长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）谱线半峰高宽分别为１８．７ｍｅＶ和２８ｍｅＶ。利用Ｘ射线双晶衍射测得两种材料的晶格失配度不大于１×１０￣（-３）。并生长了四个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构，测得７７Ｋ温度下的ＰＬ谱，分析了阱宽对发光波长及半峰宽的影响，并提出在量子阱激光器中减小界面层影响的方法。在此基础上，生长了分别限制量子阱激光器结构，并利用质子轰击制备出条形结构激光器，测得其最低阈值电流为１００ｍＡ。直流工作光谱峰值波长为１．５２μｍ左右，单面输出外微分量子效率约为３６％。