%0 Journal Article
%T InGaAsP SCH MQW LASERS<br>InGaAsP分别限制量子阱激光器
%A Chen Songyan
%A Li Yudong
%A Sun Hongbo
%A Hu Lizhong
%A Liu Shiyong National Integrated Optronics Laboratory Jilin University Region
%A Changchun
%A <br>陈松岩
%A 李玉东
%A 孙洪波
%A 胡礼忠
%A 刘式墉
%J 光子学报
%D 1996
%I 
%X 长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）谱线半峰高宽分别为１８．７ｍｅＶ和２８ｍｅＶ。利用Ｘ射线双晶衍射测得两种材料的晶格失配度不大于１×１０￣（-３）。并生长了四个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱结构，测得７７Ｋ温度下的ＰＬ谱，分析了阱宽对发光波长及半峰宽的影响，并提出在量子阱激光器中减小界面层影响的方法。在此基础上，生长了分别限制量子阱激光器结构，并利用质子轰击制备出条形结构激光器，测得其最低阈值电流为１００ｍＡ。直流工作光谱峰值波长为１．５２μｍ左右，单面输出外微分量子效率约为３６％。
%K SCH QW Lasers
%K LP-MOCVD
%K Proton bombardment<br>分别限制量子阶激光器
%K 低压金属有机气相沉积
%K 质子轰击
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=1E99B14F755C0BD4EEE1A84602FA64BE&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=C5154311167311FE&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1B97AE5098AEB49C&eid=F260CE035846B3B8&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=1&reference_num=0