THE CHARACTERISATION OF DC REACTIVE MAGNETRON SPUTTERED ZNO FILMS
紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

采用直流反应溅射法分别在Si( 1 1 1 ) ,Si( 0 0 1 ) ,及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜 ,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响 ,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向 通过优化生长条件 ,在衬底温度为 35 0℃ ,氧氩比为 1∶2的条件下生长出了XRD半高宽为 0 1°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜