DEEP LEVEL DEFECTS IN Si-IMPLANTED LEC UNDOPED SI-GaAs
注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET_1、ET_2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET_1=E_c—0.53eV,Q_n=2.3×10~(-16)cm~2;ET_2=E_c—0.81eV,Q_m=9.7×10~(-13)cm~2;密度典型值为NT_1=8.0×10~(16)cm~(-3),NT_2=3.8×10~(16)cm~(-3);表面附近,ET_1=E_c—0.45eV,NT_1=1.9×10~(16)cm~(-3);ET_2=E_c—0.71eV,NT_2=1.2×10~(16)cm~(-3),分别以As_i·V_A,As_(Ga))和V_(Aa)·As_i·V_(Ga)·As_(Ga))等作为ET_1和ET_2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。