%0 Journal Article
%T DEEP LEVEL DEFECTS IN Si-IMPLANTED LEC UNDOPED SI-GaAs<br>注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷
%A Liang Zhenxian
%A Luo Jinsheng
%A <br>梁振宪
%A 罗晋生
%J 电子与信息学报
%D 1991
%I 
%X 用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET_1、ET_2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET_1=E_c—0.53eV,Q_n=2.3×10~(-16)cm~2;ET_2=E_c—0.81eV,Q_m=9.7×10~(-13)cm~2;密度典型值为NT_1=8.0×10~(16)cm~(-3),NT_2=3.8×10~(16)cm~(-3);表面附近,ET_1=E_c—0.45eV,NT_1=1.9×10~(16)cm~(-3);ET_2=E_c—0.71eV,NT_2=1.2×10~(16)cm~(-3),分别以As_i·V_A,As_(Ga))和V_(Aa)·As_i·V_(Ga)·As_(Ga))等作为ET_1和ET_2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。
%K SI:GaAs
%K Rapid thermal annealing
%K Ion implantation
%K Deep level<br>注硅砷化镓
%K 快速热退火
%K 离子注入
%K 深能级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=22B6C85E551169AF&yid=116CB34717B0B183&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8BD23BD67BF01A5C&eid=09ABD5535D9B6D45&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=13