THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION
硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

Keywords: Si n~+-p junction,Gold deep acceptor level,DLTS
硅n~+-p结,金深受主能级,DLTS

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Abstract:

在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。

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