%0 Journal Article
%T THE ANOMALOUS PHENOMENA ON DLTS OF GOLD DEEP ACCEPTOR LEVEL IN Si n+-P JUNCTION<br>硅n+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象
%A Fu Chunyin Lu Yongling Zeng Shurong
%A <br>傅春寅
%A 鲁永令
%A 曾树荣
%J 电子与信息学报
%D 1989
%I 
%X 在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。
%K Si n~+-p junction
%K Gold deep acceptor level
%K DLTS<br>硅n~+-p结
%K 金深受主能级
%K DLTS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=D118C9C73AF167ED425E732D92B3E79A&yid=1833A6AA51F779C1&vid=708DD6B15D2464E8&iid=38B194292C032A66&sid=03E56C113B4E5A88&eid=F50A8B5513721E1C&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=10