EXPERIMENTS OF ACTIVATION TO NEA WITH A BULK p+ GaAs
在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10-7—6×10-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。