%0 Journal Article
%T EXPERIMENTS OF ACTIVATION TO NEA WITH A BULK p+ GaAs<br>在p+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验
%A Wang Naizhu
%A Wang Ning
%A Gu Xiangchun
%A <br>王乃铸
%A 王宁
%A 顾香春
%J 电子与信息学报
%D 1991
%I 
%X NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10-7—6×10-7Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。
%K NEA GaAs activation
%K Surface cleaning
%K Surface temperature control<br>NEA
%K GaAs活化
%K 表面清洁
%K 表面温度控制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=D21CBEEC3AE3A338DBADF48D1B88555B&yid=116CB34717B0B183&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6425DAE0271BB751&eid=B1F98368A47B8888&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=1&reference_num=11