STUDY OF THE DIFFUSION OF Cd AND Zn IN InP
Cd和Zn在InP中扩散的研究

本文介绍了在450—700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(x_j)的平方和时间(t)的比值(x_j~2/t)作为扩散速度的度量,并画出了x_j~2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP_2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。