%0 Journal Article
%T STUDY OF THE DIFFUSION OF Cd AND Zn IN InP<br>Cd和Zn在InP中扩散的研究
%A Pang Yongxiu
%A Sun Bingyu
%A <br>逄永秀
%A 孙炳玉
%J 电子与信息学报
%D 1985
%I 
%X 本文介绍了在450—700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(x_j)的平方和时间(t)的比值(x_j~2/t)作为扩散速度的度量,并画出了x_j~2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP_2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=A77BDAA15C8E663D&yid=74E41645C164CD61&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=E42CAFB11D4BE21A&eid=358F98408588E522&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=13