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电子与信息学报 1986
INTERACTIONS OF THE p-InP WITH Au-Zn, Ti/Au, Pd/Au Ti/Pd/Au AT INTERFACE AND THEIR ELECTRICAL PROPERTIES
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Abstract:
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(ρ_c)的影响。在 450℃热处理1—2 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散“程度”是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于“凝集”在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的ρ_c值偏高的原因之一。