STUDY OF Zn, Zn-Cd DIFFUSION IN In_xGa_1-xAs
Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中扩散的研究

本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对x_j-t~(1/2)关系的影响,Zn在In_xGa_(1-x)As中的扩散速度(x_j~2/t)较Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的快。在500°—600℃,Zn在In_xGa_(1-x)As的表面浓度为1×10~(19)—2×10~(20)cm~(-3)。Zn在In_xGa_(1-x)As中的表面浓度较在InP中的高。利用In_xGa_(1-x)As作1.3μm发光管的接触层可使接触电阻降低。