%0 Journal Article
%T STUDY OF Zn, Zn-Cd DIFFUSION IN In_xGa_1-xAs<br>Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中扩散的研究
%A Zhang Guicheng
%A Yang Yi
%A <br>张桂成
%A 杨易
%J 电子与信息学报
%D 1987
%I 
%X 本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对x_j-t~(1/2)关系的影响,Zn在In_xGa_(1-x)As中的扩散速度(x_j~2/t)较Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的快。在500°—600℃,Zn在In_xGa_(1-x)As的表面浓度为1×10~(19)—2×10~(20)cm~(-3)。Zn在In_xGa_(1-x)As中的表面浓度较在InP中的高。利用In_xGa_(1-x)As作1.3μm发光管的接触层可使接触电阻降低。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=EFC0377B03BD8D0EF4BBB548AC5F739A&aid=FCC2DB0BBC8EE801&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=0B39A22176CE99FB&sid=3F0AF5EDBC960DB0&eid=1B97AE5098AEB49C&journal_id=1009-5896&journal_name=电子与信息学报&referenced_num=0&reference_num=8