STUDY OF GaAlAs LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY
GaAlAs低温液相外延研究

本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阱材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关系，以及在６００℃下Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ外延层中ｘ值与液相中Ａｌ含量的关系的实验结果；并且用扫描电镜测得在６００℃下１０ｓ时间生长的Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ层厚为３０ｎｍ。