%0 Journal Article
%T STUDY OF GaAlAs LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY<br>GaAlAs低温液相外延研究
%A Kang Xiaoli
%A Zou Shenghua
%A Song Nanxin
%A <br>康晓黎
%A 邹胜华
%J 光子学报
%D 1996
%I 
%X 本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阱材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关系，以及在６００℃下Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ外延层中ｘ值与液相中Ａｌ含量的关系的实验结果；并且用扫描电镜测得在６００℃下１０ｓ时间生长的Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ａｓ层厚为３０ｎｍ。
%K 低温
%K 液相外延
%K GaAlAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=20B8BEFEE61F20490FDE2764B27195EB&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=C5154311167311FE&iid=B31275AF3241DB2D&sid=91BAD12CFABB3251&eid=20C3B205768D55E0&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=0