THE PROPERTIES OF GaInP GROWN BY MOCVD
GaInP材料生长及其性质研究

用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了ＧａｘＩｎ１－ｘ Ｐ（ｘ＝０．４７６－０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射，Ｈａｌｌ和光致发光测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ。载流子浓度随生长温度和蔼同，随Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，并提出的Ｐ空位是自由载流子的一个重要来源，１７Ｋ ＰＬ谱中，Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的峰能为１．８２８ｅＶ，半峰宽为１９ｍｅＶ。